SNPs 新思科技与三星合作 加速推广变革性3纳米GAA技术

智通财经APP获悉，新思科技近日宣布，其Fusion Design Platform已支持三星晶圆厂实现先进、高性能的多子系统片上系统一次性成功流片，验证了下一代3 nm环绕栅技术在功耗、性能、面积等方面的优势。此次电影制作的成功是思思科技与三星广泛合作的结果，旨在加快提供高度优化的参考方法论，实现全新3D晶体管架构固有的出色功耗和性能。

思思科技提供的参考流程已全面部署其高度集成的Fusion Design Platform，包括业内唯一基于金牌签约引擎的高度集成的RTL-GDSII设计流程，以及业内最值得信赖的金牌签约产品。采用三星最新3纳米GAA工艺的客户，可以在高性能计算、5G、移动应用和人工智能应用领域实现下一代设计的理想PPA目标。

据了解，根据摩尔定律，晶体管尺寸应进一步缩小，GAA架构为更高的晶体管密度提供了一种通过流程图验证的方式。GAA架构改善静电特性，可以提高性能、降低功耗，并基于纳米片宽度的工艺向量带来新的优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合，扩大了优化方案的空范围，从而更精细地控制总体目标设计的PPA指标的实现。思思科技与三星的紧密合作，加速了这项革命性技术的可用性，进一步提高了其效率，从而在思思科技的Fusion Compiler和IC Compiler II中实现了全流程、高收敛的优化。